Abstrakte Modellierung der Eigenschaften von nanoelektronischen CNT-Elementen in SystemC

Abstract

Möglichst genaue Simulationen von Digitalschaltungen, die auf nanoelektronischen Komponenten basieren, benötigen abstrakte Modelle, in denen die wesentlichen Eigenschaften der realen Schaltung repräsentiert sind. Wir beschreiben SystemC-Modelle, die die Eigenschaften von auf Kohlenstoffnanoröhren-Transistoren basierenden Schaltungen abstrahieren und für eine Simulation auf der RT-Ebene zugänglich machen. Durch die funktionale Modellierung von Bottom-Up Effekten ist es möglich, die modellierte Information auch anderweitig, z. B. in Syntheseprozessen, zu verwenden. Die Modelle enthalten Profilingund Überwachungsfunktionalität, die ein Verfolgen von Events, die Verletzung des Timings sowie zur Verlustleistungsmessung implementieren. Erste Vergleiche der Simulationsergebnisse der Originalmodelle mit den Abstraktionen zeigen eine gute Übereinstimmung der Resultate.